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面板驅動(dòng)IC之封裝型態(tài)可區分為T(mén)CP（Tape Carrier Package）、COF（Chip on Film）及COG（Chip on Glass）等三類(lèi)，過(guò)去主流封裝技術(shù)為T(mén)CP，不過(guò)，隨著(zhù)面板朝高畫(huà)質(zhì)及高解析度發(fā)展，及晶片輕薄短小化之需求，驅動(dòng)IC線(xiàn)路中心到中心距（pitch）、間距（spacing）等越來(lái)越微細化，封裝基板設計亦必須配合晶片電路間距微細化提供對應的封裝基板，導引封裝基板朝向高密度的構裝技術(shù)發(fā)展。于是COF以覆晶接合方式取代TCP的TAB（Tape Automated Bonding），使得晶片與軟性基板可以極高密度相接合，由于封測技術(shù)朝晶圓顆粒持續微縮與細間距（Fine Pitch）製程趨勢發(fā)展，TCP內引腳間距的極限為40μm，COF已量產(chǎn)的最小間距為25μm，因此COF封裝取代了TCP封裝。
目前全球主要COF廠(chǎng)為韓國 LG Innotek（LGIT）與 Stemco、日商 Flexceed，以及國內的頎邦與易華電等五家。至于COF製程技術(shù)主要分為蝕刻法（又稱(chēng)減成法）（Subtractive） 及半加成法（Semi-additive）。由于蝕刻法採用化學(xué)原理，控制上相對不穩定，容易造成水平面布線(xiàn)同時(shí)被溶解掉。半加成法則是透過(guò)銅箔壓合后，進(jìn)行導通孔鑽洞，在特定范圍添加抗腐蝕劑以便曝光所需布線(xiàn)，寬度不僅較符合設計需求，加上線(xiàn)路可高密度重複布線(xiàn)，良率相對較高。
